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10kv電纜頭制作工藝

描述:

10kv電纜頭制作工藝10kv熱縮電纜頭制作切割電纜。(將待接頭的兩段電纜自斷口處交疊,交疊長度為200~300mm;量取交疊長度的中心線并作記號,同時將黑色填充保留后翻,不要割斷)。10kv電纜頭制作工藝哪位朋友熟悉(校直電纜;將電纜校直,兩端重疊200-300mm,確定接頭中心后,在中心處鋸斷。(剝切外護套;按一定尺寸剝切電纜兩端外護套并清潔之。(剝切鎧裝層。10千伏電纜頭的制作與安裝規范和相......

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10kv電纜頭制作工藝
10kv熱縮電纜頭制作
切割電纜。(將待接頭的兩段電纜自斷口處交疊,交疊長度為200~300mm;量取交疊長度的中心線并作記號,同時將黑色填充保留后翻,不要割斷)。
10kv電纜頭制作工藝哪位朋友熟悉
(校直電纜;將電纜校直,兩端重疊200-300mm,確定接頭中心后,在中心處鋸斷。(剝切外護套;按一定尺寸剝切電纜兩端外護套并清潔之。(剝切鎧裝層。
10千伏電纜頭的制作與安裝規范和相關技術要求
10kV高壓電纜終端和接頭的制作電纜終端及接頭制作時,應嚴格遵守制作工藝規程。在室外制做6kV及以上電纜終端與接頭時,其空氣相對濕度宜為70%及以下。
10kv單相電纜頭的制作方法
10千伏電纜中間頭冷縮制作方法如下開剝電纜按照圖紙尺寸開剝兩端電纜外護套、鋼鎧、銅屏蔽。
10kv熱縮電纜頭做法
清潔電纜。按安裝工藝要求尺寸,剝去700mm電纜外護層。剝切電纜外護層。除去鋼鎧上將要綁扎地線的部位的防銹漆。
10kv高壓熱縮電纜頭的制作方法
安裝絕緣套管和接線端子:測量好電纜固定位置和各相引線所需長度,鋸掉多余的引線。
10kv熔接電纜中間頭制作方法
切割電纜。將待接頭的兩段電纜自斷口處交疊,交疊長度為200~300mm;量取交疊長度的中心線并作記號,同時將黑色填充保留后翻,不要割斷。
10kv單根電纜終端頭的制作方法
(首先將電纜接直,剝離外護套及鋼鎧,其次在剝離銅屏層乖半導體層。(將剝好的電纜分叉,打磨鋼鎧鐵銹,把地線固定在鋼鎧上,與銅屏線要分開固定。
10kv終端接頭做法
10KV的高壓電纜終端頭的制作步驟:電纜終端頭作用是裝配到電纜線路的首末端,用來完成與其他電氣設備連接的裝置。
10KV冷縮電纜終端頭加長做法
如果用螺絲螺桿連接;需要將續接電纜部分加工制作即可,按照電纜頭的制作工藝,剝除半導體,露出絕緣體,在絕緣體上用冷縮式絕緣管收縮。
10kv電纜插拔頭制作步驟
插拔頭制作安裝時電纜剝切的技法和其它類型終端頭是相同的。主要步驟:開剝電纜線,安裝接地,按標尺尺寸處理電纜外屏蔽、絕緣、線芯。
請問10kV電纜冷縮終端頭的制作過程要注意哪些事項
(準備階段:檢查熱縮電纜附件是否齊備,型號是否相配,檢查并確認電纜有無潮氣后,檢查電纜.(切除多余電纜。

10kv電纜頭制作工藝1675128208939

10kv電纜頭制作工藝1675128208933

做一個10kv高壓電纜頭得多長時間
得1.5—2小時具體步驟是:(校直電纜;將電纜校直,兩端重疊200-300mm,確定接頭中心后,在中心處鋸斷。(剝切外護套。
10kv高壓電纜制作標準
10kV電纜冷縮電纜頭制作剝10kV高壓電纜外護套、鎧裝和內襯層。將電纜校直、擦凈,剝去A+端子深度(C)長的外護套,綁扎線,留鋼鎧30mm,內護層10mm。
10kv高壓電纜終端工藝要求
10KV電力電纜作為電力線路的一部分,因其故障幾率低、安全可靠、出線靈活而得到廣泛應用,10KV高壓電纜在實際使用過程中一旦出故障,檢修難度較大,危險性也大。
10KV電纜終端頭里面的填充物是什么材料
★10KV電纜終端頭的制作主要用環氧樹脂、石英粉、聚酰胺樹脂等。
10千伏電纜熱縮頭制作說明
將對應電纜截面的熱縮指套套進電纜分叉出,熱縮,用密封膠密封電纜指套與電纜外保護層;再穿電纜支線絕緣管套,熱縮,分相正確質量控制點電纜切口均勻。
10kv電纜靴子頭制作方法
一些專用的鋼甲也會有相應的工具進行。是焊接屏蔽層接地線,把內護層銅屏蔽層氧化物去掉并且涂上焊錫。
電纜終端頭制作的一般要求是什么
制作時對環境的要求:10kV電纜冷縮終端頭的制作必須在天氣晴朗、空氣干燥的情況下進行,施工場地應清潔無飛揚的灰塵或紙屑。
10kv高壓線接頭方法
10kv電纜導線連接的方式基本為壓接。10kv電纜中間接頭目前比較成熟的方法有:熱縮、冷縮、冷澆鑄。
視頻怎么制作10kv冷縮戶外電纜頭
準備二至三只攝像機(最好是高清),從不同角度進行拍攝,關健工藝多點多角度攝制,同時請有經驗的老師傅進行講解,完成后進行合成講解。

10kv電纜頭制作工藝1675128208951

10kv電纜頭制作工藝1675128208945

10kv冷縮電纜頭制作需要哪些工具
冷縮終端頭制作不需要太多工具,大慨如下:電工刀用于割除電纜外護層,鋼鋸用于切割鋼鎧或者鋼絲,尖嘴鉗或者虎口鉗用于剝除半導體層。
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