IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，MCP礦用電纜絕緣柵雙極晶體管）已被廣泛使用，高電壓和大電流是其未來的發展方向，MCP礦用電纜近年來，它已在高壓直流輸電領域得到應用。著功率容量的不斷提高，對設備的設計和制造提出了更高的要求。了縮短設計周期，提高效率，降低制造成本，應采用計算機仿真，以大大提高工作效率。文使用ISE軟件根據帶外情況進行仿真研究。果表明，該軟件仿真方法可以有效指導設備生產。于高壓高電流IGBT的制造，MCP傳統的外延方法不再適用[1]。MCP礦用電纜將器件直接放置在硅單晶上已導致工藝流程的改變。了提高效率，MCPMCP降低制造成本，從單晶硅材料的選擇到加工技術的每一步都有系統和嚴格的要求[2]。算機仿真設計方法可以顯著提高生產可靠性，包括結構過程仿真，電氣特性仿真和布局設計[3]。用計算機軟件對IGBT器件的過程進行仿真，即，通過適當調節擴散過程的溫度，時間和氣氛，MCP礦用電纜采煤機模擬了最佳器件參數，例如硼-磷結深度，采煤機并最終獲得了理想的器件結構。文設計的IGBT器件是基于透明陽極技術的NPT型IGBT。用環形現場卡的混合終端結構[4]。程仿真的二維結構如圖1所示。過程仿真生成的器件結構的電特性進行了仿真，MCP礦用電纜MCP礦用電纜并獲得了器件關鍵參數的仿真曲線[5]。
　　值電壓的仿真。真結果表明，影響閾值電壓的因素首先是P阱區的摻雜濃度及其雜質分布，采煤機然后是柵氧化層的厚度。電纜發現器件的通道越長，雜質的分布越平坦，并且越容易控制閾值電壓。在實際工藝中，由于P阱區的摻雜和退火工藝與雜質的重新分布密切相關，因此應該對其進行優化，MCP礦用電纜以最大程度地減小P阱區的雜質分布的波動。以獲得更穩定的閾值電壓。最終提高了設備??參數的一致性和一致性[6]。值電壓的特性曲線在圖2中示出。

　　真結果表明，采煤機芯片厚度，MCP礦用電纜襯底摻雜濃度，P體摻雜濃度和柵氧化層厚度都是影響該狀態下特性的因素。通狀態下的特性曲線如圖3所示。真結果表明，影響開關參數的因素包括P 陽極的摻雜濃度，電纜柵氧化層的厚度，MCP多晶硅的厚度和摻雜濃度。果存在N 緩沖層，電纜則與摻雜濃度和緩沖層（7）的厚度有關。開關參數與芯片的總體布局，MCP特別是多晶硅柵極的布局結構有很大關系。
　　關特性曲線如圖4所示。據過程仿真的結果，電纜確定器件的橫向尺寸，并繪制芯片布局，如圖5所示。

　　
　　過過程仿真和仿真器的電氣特性進行仿真IGBT，電纜充分結合了流片測試情況，研究結果表明，計算機仿真結果與測試數據非常吻合，MCP礦用電纜電纜為器件的制造提供了有力的支持[8]。
　　如果您對本文“MCP屏蔽采煤機電纜1140V MCP礦用電纜”感興趣，歡迎您聯系我們